دیتاشیت SI1926DL-T1-E3
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
SI1926DL-T1-E3
|
| حجم فایل |
87.415
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
11
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Type:
2 N-Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Vishay Intertech SI1926DL-T1-E3
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
510mW
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
1.4nC@10V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
18.5pF@30V
-
Continuous Drain Current (Id):
370mA
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
2.5V@250uA
-
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds):
-
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
1.4Ω@340mA,10V
-
Package:
SOT-363-6
-
Manufacturer:
Vishay Intertech
